半導(dǎo)體和微電子
激光微射流在特定行業(yè)中的優(yōu)勢(shì)
與常規(guī)金剛石鋸切或激光系統(tǒng)相比,Synova獨(dú)特的微水射流激光?加工系統(tǒng)為半導(dǎo)體行業(yè)和微電子行業(yè)的應(yīng)用提供了多項(xiàng)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
? ? ? ?激光微射流??(LMJ?)技術(shù)的“溫和”加工方式滿足敏感的半導(dǎo)體材料的切割、開(kāi)槽和切割的日益增強(qiáng)的質(zhì)量要求,達(dá)到光滑垂直的切邊、保持材料的高晶圓斷裂強(qiáng)度、并顯著降低破損風(fēng)險(xiǎn)。靈活的LMJ?加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)精確燒蝕各種半導(dǎo)體材料,例如硅 (Si)、砷化鎵 (GaAs)、碳化硅 (SiC)、低介電質(zhì)材料,包括其不同涂層材料,例如不同厚度的環(huán)氧樹(shù)脂模塑化合物涂層的晶片劃片。LMJ?機(jī)器能夠進(jìn)行多向 2D 切割,使工程師能夠創(chuàng)建新的 T 型切割和圓形設(shè)計(jì)的芯片形狀的設(shè)計(jì)切毫無(wú)二致的高質(zhì)量。另外,隨著Multiple-Project Wafer(MPW)多項(xiàng)目晶圓切的崛起,常規(guī)鋸切幾乎難以進(jìn)行劃片,考慮常規(guī)“干”激光劃片工藝的局限性,激光微射流技術(shù)則在其固有優(yōu)勢(shì)的加持下,體現(xiàn)了獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)。
? ? ? ?不同的激光源(綠光、紫外光、紅外光)可以被考慮在LMJ?加工系統(tǒng)中,以應(yīng)對(duì)未來(lái)不同需求的應(yīng)用挑戰(zhàn)。Synova 的LMJ?系統(tǒng)具有整體高性價(jià)比優(yōu)勢(shì)的加工技術(shù),整體的耗材成本和對(duì)整個(gè)加工工藝的良性影響的復(fù)合實(shí)現(xiàn)了這個(gè)可能性。同時(shí),隨著晶圓厚度的持續(xù)降低和襯板材料剛性的增加和材料特性的變化,比如碳化硅SiC襯板的采用,常規(guī)鋸切和激光劃片技術(shù)遭遇了前所未有的挑戰(zhàn),而SYNOVA公司的激光微射流其無(wú)熱影響區(qū)(HAZ)、被沖刷的加工碎屑、無(wú)微裂紋、無(wú)毛刺/沉積、垂直切面、低粗糙度等特征完美地應(yīng)對(duì)了這些挑戰(zhàn),使客戶能夠可能通過(guò)采用激光微射流加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)的綜合效益。
- 性能
- 高精度+/-3 μ m的公差
- 可切割任何形狀(2D)
- 高切割速度:對(duì)于薄晶圓(<50 μm),切割速度高達(dá) 200 mm/sec
- 正常晶圓厚度范圍:50 μm - 2 mm
- 最大單次燒蝕線速度1000 mm/s
主 要 應(yīng) 用
|? 開(kāi)槽/切割用于LED和手機(jī)的藍(lán)寶石晶圓
在藍(lán)寶石襯底上開(kāi)槽
在藍(lán)寶石襯底上開(kāi)槽
在藍(lán)寶石襯底上開(kāi)槽
在藍(lán)寶石襯底上開(kāi)槽
|? 劃片薄型低介電質(zhì)晶圓
薄型低介電質(zhì)晶圓
薄型低介電質(zhì)晶圓
薄型低介電質(zhì)晶圓
| ?晶圓修邊和晶圓的大切?。ㄈコ毕莶糠郑?/span>
移除前的晶圓
去除后的晶圓邊緣
晶圓縮小
|? 太陽(yáng)能電池的電池邊緣隔離
太陽(yáng)能電池
太陽(yáng)能電池
太陽(yáng)能電池
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